9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N4370CUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日4370CUR-1参考价格$17.85000。微芯片技术JAN1N4370CUR-1封装/规格：二极管ZENER 2.4V DO213AA。您可以下载JAN1N4370CUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N4249是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/286系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，具有通孔等安装方式特征，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及a，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.3V@3A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为5μs，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为25 A，最大浪涌电流为25 B，恢复时间为5 us。
JAN1N4247是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.3 V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.3 V等正向电压特性，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），MIL-PRF-19500/286系列，该设备也可用作5μs反向恢复时间trr。此外，恢复时间为5 us，该设备为标准恢复整流器产品，该设备具有散装包装，包装箱为a，轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，工作温度连接范围为-65°C至175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为25 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为25安，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为1μA@600V，平均整流电流Io为1A。
JAN1N4246是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型特征，如通孔，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，包装为散装，该设备提供5μs反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/286系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
JAN1N4248是DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL，包括通孔安装型，设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供军用、MIL-PRF-19500/286等系列功能，包装设计用于散装，以及a、轴向包装箱，该器件还可以用作800V电压DC反向Vr Max，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件提供5μs反向恢复时间trr，该器件具有1μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
