9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的PTV33B-E3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PTV33B-E3/84A参考价格为0.228072美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division PTV33B-E3/84A封装/规格：DIODE ZENER 35V 600MW DO220AA。您可以下载PTV33B-E3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PTV30B-M3/84A是DIODE ZENER 32V 600MW DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于电压调节二极管产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于DO-220AA，其工作温度范围为150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-220AA（SMP），该设备为单配置，该设备具有±6%的容差，最大功率为600mW，电压齐纳标称Vz为32V，阻抗最大Zzt为18 Ohm，电流反向泄漏Vr为10μa@23V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为1.5W，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vz齐纳电压为32 V，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为18欧姆，Ir反向电流为10 uA。
PTV30B-M3/85A是DIODE ZENER 32V 600MW DO220AA，包括32V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.5V@200mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，使用±6%，提供供应商设备包功能，如DO-220AA（SMP），系列设计用于eSMPR，以及600MW最大功率，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度范围为150°C，设备具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为18欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@23V，配置为单一。
PTV30B-E3/85A是DIODE ZENER 32V 600MW DO220AA，包括10μA@23V电流反向泄漏Vr，它们设计为在18欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为150°C，包装箱设计为在DO-220AA以及磁带和卷轴（TR）包装中工作，该设备也可以用作600mW最大功率。此外，该系列为eSMPR，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备具有±6%的容差，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压齐纳标称Vz为32V。
