9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4731ATR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4731ATR参考价格为0.273534美元。onsemi 1N4731ATR包装/规格：DIODE ZENER 4.3V 1W DO41。您可以下载1N4731ATR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4731A-TAP是DIODE ZENER 4.3V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为4.3V，阻抗最大值Zzt为9欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.3 V，电压容差为5%，齐纳电流为217 mA，Zz齐纳阻抗为9欧姆，Ir反向电流为10 uA。
1N4731A-TP是DIODE ZENER 4.3V 1W DO41G，包括9欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于217 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.8 mm，提供Vz齐纳电压特性，如4.3 V，电压齐纳标称Vz设计用于4.3V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，200mA电压下的Vf正向电压为1.2V，该设备的容差为±5%，该设备具有DO-41G供应商设备包，系列为1N473，功率最大值为1W，Pd功耗为1W；包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，它的工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为4.5 mm，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大Zzt为9欧姆，高度为2.8 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@1V，配置为单一。
带电路图的1N4731ATA，包括10μA@1V电流反向泄漏Vr，其设计为在9欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为4.3V。
