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BZT52C39LP-7是DIODE ZENER 39V 250MW 2DFN，包括BZT52C39系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000035盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.47 mm，长度为1 mm，设备也可以用作0.6 mm宽。此外，包装箱为2-XFDFN，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备为表面安装型，供应商设备包装为2-DFN1006（1.0x0.6），配置为单一，公差为±5%，最大功率为250mW，电压齐纳标称Vz为39V，阻抗最大Zzt为130欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@27.3V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为39 V，电压容差为5%，电压温度系数为43.3 mV/C，Zz齐纳阻抗为130欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZT52C39-HE3-08带用户指南，包括90欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于8 mA齐纳电流，Vz齐纳电压显示在数据表注释中，用于39 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如39V，电压容差设计为工作在5%，以及1.2 mV/C电压温度系数，该装置也可以用作0.000363盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备采用SOD-123供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，产品为小信号齐纳二极管，最大功率为410mW，Pd功耗为410 mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为50 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@29V，配置为单一。
BZT52C39-HE3-18带电路图，包括单一配置，设计用于在100nA@29V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于50欧姆，具有100 nA的Ir反向电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有SOD-123封装盒，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为410 mW，最大功率为410mW，产品为小信号齐纳二极管，系列为AEC-Q101，供应商设备包装为SOD-123，公差为±5%，单位重量为0.000363 oz，电压温度系数为1.2 mV/C，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为39V，Vz齐纳电压为39V、齐纳电流为8mA，Zz齐纳阻抗为90欧姆。
