9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SMZJ3800BHE3/52，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMZJ3800BHE3/52参考价格0.66847美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SMZJ3800BHE3/52封装/规格：DIODE ZENER 30V 1.5W DO214AA。您可以下载SMZJ3800BHE3/52英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMZJ3800B-E3/52是DIODE ZENER 30V 1.5W DO214AA，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，其设计为单位重量为0.003284盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备具有2.24 mm等高度特征，长度设计为4.57 mm，宽度为3.94 mm，该设备也可以用作DO-214AA，SMB封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214AA（SMBJ），配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.5W，电压齐纳标称Vz为30V，阻抗最大Zzt为26欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@22.8V，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为30 V，电压容差为5%，齐纳电流为41 mA，Zz齐纳阻抗为26欧姆，Ir反向电流为5 uA。
SMZJ3800B-E3/5B是DIODE ZENER 30V 1.5W DO214AA，包括26欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于41 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于3.94 mm，提供Vz齐纳电压特性，如30 V，电压齐纳标称Vz设计用于30 V，以及5%电压容差，该装置也可以用作0.003284盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用DO-214AA（SMBJ）供应商器件封装，该器件的最大功率为1.5W，Pd功耗为1.5 W，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装盒为DO-214AB，SMB，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为4.57 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为26 Ohm，高度为2.24 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@22.8V，配置为单一。
SMZJ3800AHE3/5B是DIODE ZENER 30V 1.5W DO214AA，包括5μA@22.8V电流反向泄漏Vr，它们设计为在26欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1.5W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMBJ），该设备的容差为±10%，该设备具有30V的电压齐纳标称Vz。
