9icnet为您提供由Solid State股份有限公司设计和生产的1N3027B，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N3027B参考价格5.93300美元。固态股份有限公司1N3027B封装/规格：1瓦齐纳二极管D0-13。您可以下载1N3027B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3026BUR-1是DIODE ZENER 18V 1W DO213AB，包括齐纳二极管产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004762盎司，提供5.21 mm等长度特性，宽度设计用于2.67 mm，以及DO-213AB，MELF包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为18V，阻抗最大值Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@13.7V，电压正向Vf最大值If为1.2V@200mA，直径为2.67 mm，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，200 mA时Vf正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为18 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.091%/C，齐纳电流为52 mA，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为10uA。
带用户指南的1N3026B-1，包括18V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），功率最大值设计为1W，以及散装包装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为20欧姆，反向电流Vr为10μa@13.7V。
1N3025BUR-1是DIODE ZENER 16V 1W DO213AB，包括10μA@12.2V电流反向泄漏Vr，设计用于在16欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C，包装箱设计用于DO-213AB、MELF和散装包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为16V。
1N3026B，带有MICROSEMI制造的EDA/CAD模型。1N3026B采用CAN封装，是Diodes-Zener-Single的一部分。
