9icnet为您提供由Solid State股份有限公司设计和生产的1N3029B，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N3029B参考价格5.93300美元。固态股份有限公司1N3029B封装/规格：1瓦齐纳二极管D0-13。您可以下载1N3029B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N3029B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N3027B-1，带销细节，包括散装包装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C ~175°C，提供安装类型的功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-20 4AL（DO-41），以及±5%的公差，设备也可用于1W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为20V，该器件提供22欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有10μa@15.2V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA。
带用户指南的1N3028B-1，包括22V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），功率最大值设计为1W，以及散装包装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大为23欧姆，Zzt，电流反向泄漏Vr为10μa@16.7V。
1N3027BUR-1是DIODE ZENER 20V 1W DO213AB，包括10μA@15.2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在22欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~175°C，包装箱设计为在DO-213AB、MELF以及散装包装中工作，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为20V。
1N3028BUR-1是DIODE ZENER 22V 1W DO213AB，包括表面安装型，它们设计用于DO-213AB、MELF封装盒，供应商设备封装如数据表注释所示，用于DO-213A B，提供散装等封装功能，其工作温度范围为-55°C ~175°C，以及23欧姆阻抗最大Zzt，该器件也可以用作22V电压齐纳标称Vz。此外，最大功率为1W，器件提供10μA@16.7V电流反向泄漏Vr，器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±5%。
