9icnet为您提供由Solid State股份有限公司设计和生产的1N3019B，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N3019B参考价格6.50000美元。固态股份有限公司1N3019B封装/规格：1瓦齐纳二极管D0-13。您可以下载1N3019B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3018B-1，带有引脚细节，包括散装包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C，具有通孔等安装类型特征，供应商设备包设计用于DO-20 4AL（DO-41），以及±5%的公差，设备也可以用作1W最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为8.2V，器件提供4.5欧姆阻抗最大Zzt，器件具有50μa@6.2V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
带用户指南的1N3017B-1，包括7.5V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），功率最大值设计为1W，以及散装包装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备具有4欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100μa@5.7V。
1N3018BUR-1是DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB，包括50μA@6.2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在4.5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~175°C，包装箱设计用于DO-213AB、MELF和散装包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为8.2V。
1N3017BUR-1是DIODE ZENER 7.5V 1W DO213AB，包括表面安装型，它们设计用于DO-213AB、MELF封装盒，供应商设备封装如数据表注释所示，用于DO-213A B，提供散装、电压齐纳标称Vz等封装功能，设计用于7.5V，其工作温度范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作4欧姆阻抗最大Zzt。此外，功率最大值为1W，器件提供100μA@5.7V电流反向泄漏Vr，器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±5%。
