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SMZJ3788B-E3/52是DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO214AA，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于单位重量为0.003386盎司的操作，安装方式如数据表说明所示，用于SMD/SMT，提供2.41 mm等高度功能，长度设计为4.57 mm，宽度为3.94 mm，该设备也可以用作DO-214AA，SMB封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214AA（SMBJ），配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.5W，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为4欧姆，电流反向泄漏Vr为50μa@7V，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为5%，齐纳电流为140 mA，Zz齐纳阻抗为4欧姆，Ir反向电流为50 uA。
SMZJ3788B-E3/5B是DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO214AA，包括4欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于140 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于3.94 mm，提供Vz齐纳电压特性，如9.1 V，电压齐纳标称Vz设计用于9.1V，以及5%电压容差，该装置也可以用作0.003386oz单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用DO-214AA（SMBJ）供应商器件封装，该器件的最大功率为1.5W，Pd功耗为1.5 W，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装盒为DO-214AB，SMB，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为4.57 mm，Ir反向电流为50 uA，阻抗最大Zzt为4欧姆，高度为2.41 mm，电流反向泄漏Vr为50μA@7V，配置为单一。
SMZJ3788BE3/52是DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO214AA，包括单一配置，设计用于在50μa@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.24 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如4欧姆，Ir反向电流设计用于50μa，以及4.57 mm长度，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-55℃~150℃之间，包装箱为DO-214AA，SMB，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为1.5W，最大功率为1.5W；供应商设备包为DO-214AA（SMBJ），公差为±5%；单位重量为0.003284 oz，电压公差为5%；电压齐纳标称Vz为9.1V，Vz齐纳电压为9.1V；宽度为3.94mm；齐纳电流为140mA，Zz齐纳阻抗为4欧姆。
