9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的1N5232B-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5232B-TP参考价格为0.368美元。微型商用Co 1N5232B-TP包装/规格：DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35。您可以下载1N5232B-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5232B-TAP是DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计用于1.7 mm，以及3.9 mm长度，设备也可以用作1.7 mm宽度。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为5.6V，电流反向泄漏Vr为5μa@3V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为5.6 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.038%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为11欧姆，Ir反向电流为5uA。
1N5232B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括5.6V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为1600欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@3V。
1N5232BTA是DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35，包括5μA@2.9V电流反向泄漏Vr，设计用于在11欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为5.6V。
