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1N5235B-TAP是DIODE ZENER 20A 6.8V DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，长度3.9 mm，设备也可以用作1.7 mm宽。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大值Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@5V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.8 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.05%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为3uA。
1N5235B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括6.8V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为750欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@5V。
1N5235BTA是DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35，包括3μA@4.8V电流反向泄漏Vr，设计用于在5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.8V。
