9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N5263B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5263B-T参考价格$1.461402。Diodes Incorporated 1N5263B-T封装/规格：DIODE ZENER 56V 500MW DO35。您可以下载1N5263B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5263B-t价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5263B_T50R，带引脚细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，设计用于0.004445 oz单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供1.91 mm等高度特征，长度设计为4.56 mm，以及1.91 mm宽度，该设备也可用于DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-35供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为56V，阻抗最大Zzt为150 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@43V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为56 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.096%/C，齐纳电流为2.2 mA，Zz齐纳阻抗为150欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5263B-B是齐纳二极管0.5W 56V 5%，包括150欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于10 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2 mm，提供Vz齐纳电压特性，如56 V，电压容差设计为工作在5%，以及0.096%/C电压温度系数，该装置也可以用作0.004833盎司单位重量。此外，Pd功耗为500 mW，该器件采用散装封装，该器件具有DO-35封装盒，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为4.2 mm，Ir反向电流为100 nA，高度为2 mm，配置为单一。
1N5263BDO35，带电路图，包括100nA@43V电流反向泄漏Vr，它们设计用于150欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为56V。
