9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N757CUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N757CUR-1参考价格为0.884美元。微芯片技术JATX1N757CUR-1包装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA。您可以下载JATX1N757CUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N756C-1，带销细节，包括军用MIL-PRF-19500/127系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有通孔、长度设计为5.08 mm等安装类型特征，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35（DO-204AH）供应商设备包中提供，该设备具有±2%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为8 Ohm，电流反向泄漏Vr为1μa@6V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JATX1N756D-1，带用户指南，包括8.2V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了单位重量，用于0.004586盎司，具有±1%的公差特性。供应商设备包设计用于DO-35（DO-204AH）以及军用MIL-PRF-19500/127系列，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，包装为散装，该设备提供DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，长度为5.08 mm，阻抗最大Zzt为8欧姆，直径为2.29 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@6V。
带有电路图的JATX1N756CUR-1，包括1μA@6V电流反向泄漏Vr，它们设计为在1.7 mm直径下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于8欧姆，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计为在表面安装中工作，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用，MIL-PRF-19500/127，供应商装置包装为DO-213A，公差为±2%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为8.2V。
JATX1N756DUR-1，带有EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于SMD/SMT安装型，系列如军用MIL-PRF-19500/127的数据表注释所示，提供封装盒功能，如DO-213AA（玻璃），供应商设备封装设计用于DO-213A，以及散装包装，该器件也可以用作8.2V电压齐纳标称Vz。此外，阻抗最大值Zzt为8欧姆，工作温度范围为-65°C~175°C，设备最大功率为500mW，长度为3.7mm，电流反向泄漏Vr为1μa@6V，直径为1.7mm，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，单位重量为0.001270盎司，公差为±1%。
