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BZX84B27-HE3-08,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.000310盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,公差为±2%,功率最大值为300mW,电压齐纳标称Vz为27V,阻抗最大值Zzt为80 Ohm,电流反向泄漏Vr为50nA@18.9V,Pd功耗为300mW,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vz齐纳电压为27 V,电压容差为2%,电压温度系数为1 mV/C,Zz齐纳阻抗为80欧姆,Ir反向电流为50 nA。
BZX84B27-HE3-18带有用户指南,包括80欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于27 V Vz齐纳电压,数据表注释中显示了用于27 V的电压齐纳标称Vz,提供2%的电压容差特性,电压温度系数设计用于1 mV/C,以及0.000310盎司的单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包装为SOT-23-3,该设备为AEC-Q101系列汽车产品,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为300mW,Pd功耗为300mW;包装为胶带和卷筒(TR)交替包装,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为50 nA,阻抗最大Zzt为80 Ohm,电流反向泄漏Vr为50 nA@18.9V,配置为单一。
BZX84B27LT1G是DIODE ZENER 27V 250MW SOT23,包括50nA@18.9V电流反向泄漏Vr,设计用于80 Ohm阻抗最大Zzt的操作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-65°C~150°C,包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为最大功率250mW使用。此外,该系列为AEC-Q101汽车系列,该设备在SOT-23-3(TO-236)供应商设备包中提供,该设备具有±2%的容差,电压正向Vf Max If为900mV@10mA,电压齐纳标称Vz为27V。
BZX84B27W,带有ANPEC制造的EDA/CAD模型。BZX84B27W采用SOT323封装,是IC芯片的一部分。