9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N5262B-T50A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5262B-T50A参考价格为0.21美元。onsemi 1N5262B-T50A包装/规格：DIODE ZENER 51V 500MW DO35。您可以下载1N5262B-T50A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5262B-B是齐纳二极管0.5W 51V 5%，包括散装包装，其设计为单位重量为0.004833盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2毫米的高度特征，长度设计为4.2毫米，以及2毫米的宽度，该设备也可以用作DO-35包装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.096%/C，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为125欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5262B_T50R带用户指南，包括51V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有125欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@39V。
1N5262B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括100nA@39V电流反向泄漏Vr，设计用于1100欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为51V。
1N5262BDO35，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于带卷（TR）包装，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及51V电压齐纳标称Vz，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，阻抗最大Zzt为125欧姆，该设备提供100nA@39V电流反向泄漏Vr，该设备具有1.5V@200mA电压正向Vf Max If，公差为±5%。
