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JATX1N5420是DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/411系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型特征，如通孔，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及B，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管型，该器件在600V时电流反向泄漏Vr为1μa，正向电压Vf Max If为1.5V@9A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为400ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为400 ns。
JATX1N5419US带有用户指南，其中包括1.5V@9A电压正向Vf Max，如果设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D-5B中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/411，以及250ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@500V，电流平均整流Io为3A。
JATX1N5420US是DIODE GEN PURP 600V 3A D5B，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，安装类型设计用于SMD/SMT，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作SQ-MELF，B封装盒。此外，包装为散装，设备提供400ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/411系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5B，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.5V@9A。
JATX1N5419是DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL，包括通孔安装型，它们设计用于通孔安装类型，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供军用、MIL-PRF-19500/411等系列功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及散装包装，该器件也可作为B轴封装外壳使用，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件提供500V电压DC反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为250ns，电流反向泄漏Vr为1μa@500V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A。
