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JATX1N914UR是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA，包括军用MIL-PRF-19500/116系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AA，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于DO-213A，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，器件提供1.2V@50mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N935B-1是DIODE ZENER 9.45V 500MW DO35，包括9V电压齐纳标称Vz，其设计工作公差为±5%。DO-35提供军用、MIL-PRF-19500/156等系列功能，最大功率设计为500MW，以及散装包装，该设备也可作为DO-204AH、DO-35使用，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备具有20欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为10μa@6V。
JATX1N914B，带有MSC制造的电路图。JATX1N914B采用DIODE封装，是IC芯片的一部分。
