9icnet为您提供由MACOM技术解决方案公司设计和生产的JATXV1N4099-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N4099-1参考价格为0.29美元。MACOM技术解决方案JATXV1N4099-1包装/规格:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35。您可以下载JATXV1N4099-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N3893是DIODE GEN PURP 400V 12A DO35,包括军用MIL-PRF-19500/304系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装箱,提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,供应商设备包设计用于DO-203A(DO-4),以及小信号=速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@400V,该器件的电压正向Vf Max为1.5V@20A。如果,该器件具有400V的电压反向Vr Max,电流平均整流Io为12A,反向恢复时间trr为200ns,电容Vr F为115pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N3911是DIODE GEN PURP 200V 50A DO5,包括1.4V@50A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-203AB(DO-5),其提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,以及150ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作散装包装。此外,封装外壳为DO-203AB、DO-5、螺柱,其工作温度结范围为-65°C~150°C,设备具有底座、螺柱安装式安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为15μa@200V,电流平均整流Io为50A。
JATXV1N3912是DIODE GEN PURP 300V 50A DO5,包括50A电流平均整流Io,它们设计为在15μa@300V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,其工作温度结范围为-65°C~150°C,以及DO-203AB、DO-5,螺柱包装箱,该设备也可以用作散装包装。此外,反向恢复时间trr为150ns,该设备在军用MIL-PRF-19500/308系列中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),供应商设备包为DO-203AB,电压DC反向Vr Max为300V,电压正向Vf Max If为1.4V@50A。