9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZW03C62-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZW03C62-TAP参考价格为0.42美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZW03C62-TAP封装/规格：DIODE ZENER 62V 1.85W SOD64。您可以下载BZW03C62-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZW03C56-TR是DIODE ZENER 56V 1.85W SOD64，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.030265盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备具有4.3毫米的高度特征，长度设计为4毫米，以及4.3毫米的宽度，该设备也可以用作SOD-64，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-64，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.85W，电压齐纳标称Vz为56V，阻抗最大值Zzt为35 Ohm，电流反向泄漏Vr为2μa@43V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Pd功耗为6 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为56 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.095%/K，Zz齐纳阻抗为35欧姆，Ir反向电流为2 uA。
BZW03C56-TAP是DIODE ZENER 56V 1.85W SOD64，包括35欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为4.3毫米，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于56 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如56V，电压容差设计工作在5%，以及0.095%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.2V@1A正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.030265 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有SOD-64供应商设备包，功率最大值为1.85W，Pd功耗为6 W，包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为SOD-64，轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为通孔，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为4 mm，Ir反向电流为2 uA，阻抗最大Zzt为35 Ohm，高度为4.3 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@43V，配置为单一。
BZW03C51-TR是二极管ZENER 51V 1.85W SOD64，包括2μA@39V电流反向泄漏Vr，设计用于27欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于SOD-64，轴向，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作1.85W最大功率。此外，供应商设备包为SOD-64，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@1A的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为51V。
