9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZW03D39-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZW03D39-TAP价格参考$0.2。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZW03D39-TAP封装/规格：DIODE ZENER 39V 1.85W SOD64。您可以下载BZW03D39-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZW033D33-TR是DIODE ZENER 33V 1.85W SOD64，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.030265盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备具有4.3毫米的高度特征，长度设计为4毫米，以及4.3毫米的宽度，该设备也可以用作SOD-64，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-64，配置为单一，公差为±10%，功率最大值为1.85W，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大值Zzt为10 Ohm，电流反向泄漏Vr为2μa@23.5V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Pd功耗为6 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为10%，电压温度系数为0.085%/K，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为40 uA。
BZW033D36-TR是二极管ZENER 36V 1.85W SOD64，包括11欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为4.3毫米，数据表中显示了用于36V的Vz齐纳电压，提供36V等电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计工作在10%，以及0.085%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.2V@1A正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.030265 oz，该设备提供±10%公差，该设备具有SOD-64供应商设备包，最大功率为1.85W，Pd功耗为6 W，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-64，轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为通孔，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为4 mm，Ir反向电流为30 uA，阻抗最大Zzt为11 Ohm，高度为4.3 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@25.8V，配置为单一。
BZW033D36-TAP是二极管ZENER 36V 1.85W SOD64，包括单一配置，它们设计为在25.8V电流反向泄漏Vr下工作2μa，高度如数据表注释所示，用于4.3 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如11 Ohm，Ir反向电流设计为在30 uA下工作，长度为4 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为通孔安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，工作温度范围在-65℃~175℃，封装外壳为SOD-64，轴向，封装为磁带盒（TB）交替封装，Pd功耗为6 W，功率最大值为1.85W，供应商设备包为SOD-64，公差为±10%，单位重量为0.030265 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压温度系数为0.085%/K，电压公差为10%，电压齐纳标称Vz为36V，Vz齐纳电压为36V、宽度为4.3mm，Zz齐纳阻抗为11欧姆。
