9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZW03D68-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZW03D68-TAP参考价格为0.262美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZW03D68-TAP封装/规格：DIODE ZENER 68V 1.85W SOD64。您可以下载BZW03D68-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZW03D51-TAP是DIODE ZENER 51V 1.85W SOD64，包括磁带盒（TB）封装，设计用于0.030265 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供高度特性，如4.3 mm，长度设计为4 mm，以及4.3 mm宽度，该设备也可以用作SOD-64，轴向封装外壳，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-64，配置为单一，公差为±10%，最大功率为1.85W，电压齐纳标称Vz为51V，阻抗最大Zzt为27欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@36.5V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Pd功耗为6 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为10%，电压温度系数为0.095%/K，Zz齐纳阻抗为27欧姆，Ir反向电流为25 uA。
BZW03D62-TAP是DIODE ZENER 62V 1.85W SOD64，包括42欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于4.3毫米宽的工作，数据表中显示了用于62 V的Vz齐纳电压，提供了电压齐纳标称Vz特性，如62V，电压容差设计为工作在10%，以及0.105%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.2V@1A正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.030265 oz，该设备的公差为±10%，该设备具有供应商设备封装的SOD-64，功率最大值为1.85W，Pd功耗为6 W，包装为磁带盒（TB），包装箱为SOD-64轴向，其工作温度范围为-65°C ~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4 mm，Ir反向电流为20 uA，阻抗最大Zzt为42 Ohm，高度为4.3 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@44.5V，配置为单一。
BZW03D56-TAP是二极管ZENER 56V 1.85W SOD64，包括单一配置，它们设计用于在2μa@40V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于4.3 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如35欧姆，Ir反向电流设计用于20 uA，以及4 mm长度，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为通孔安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，工作温度范围在-65℃~175℃，封装外壳为SOD-64，轴向，封装为磁带盒（TB），Pd功耗为6 W，最大功率为1.85W，供应商设备包为SOD-64，公差为±10%，单位重量为0.030265 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压温度系数为0.095%/K，电压公差为10%，电压齐纳标称Vz为56V，Vz齐纳电压为56V、宽度为4.3mm，Zz齐纳阻抗为35欧姆。
