9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5529CUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5529CUR-1参考价格为0.29美元。微芯片技术JATX1N5529CUR-1包装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA。您可以下载JATX1N5529CUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATX1N5529B-1是DIODE ZENER 9.1V 500MW DO204AH，包括军用MIL-PRF-19500/437系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，提供安装类型特征，如通孔，长度设计为5.08 mm，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备采用DO-204AH（DO-35玻璃）供应商设备包提供，该设备具有±5%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为45 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@8.2V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JATX1N5528DUR-1带有用户指南，包括8.2V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了用于0.001270盎司的单位重量，提供±1%的公差特性，供应商设备包设计用于DO-213AA以及军用MIL-PRF-19500/437系列，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，包装为散装，该设备采用DO-213AA（玻璃）包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为3.7mm，阻抗最大Zzt为40欧姆，直径为1.7mm，电流反向泄漏Vr为500nA@7.5V。
带有电路图的JATX1N5529BUR-1，包括100nA@8.2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在45欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供DO-213AA（玻璃）等包装箱功能，包装设计为散装工作，以及军用MIL-PRF-19500/435系列，该设备也可以用作DO-213AA供应商设备包。此外，公差为±5%，该器件提供9.1V电压齐纳标称Vz。
