9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZG05C4V7-HE3-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZG05C4V7-HE3-TR参考价格为0.279066美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZG05C4V7-HE3-TR封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC。您可以下载BZG05C4V7-HE3-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZG05C47TR3是DIODE ZENER 1.25W DO214AC，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-214AC、SMA，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装类型设计用于表面安装，以及DO-214AA供应商设备包，该器件还可以用作1.25W最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为47V，该器件提供1500欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有500nA@36V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
BZG05C4V3-E3-TR带用户指南，包括4.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-214AC，功率最大值设计为1.25W，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该器件也可作为DO-214AC、SMA封装盒使用，其工作温度范围为150°C，该器件为表面安装型，该器件的最大阻抗为13欧姆，最大Zzt，电流反向泄漏Vr为3μa@1V。
BZG05C4V3-E3-TR3，带电路图，包括3μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为以13欧姆阻抗最大Zzt运行，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为150°C，包装箱设计为在DO-214AC、SMA以及胶带和卷轴（TR）替代包装中工作，该设备也可以用作1.25W最大功率。此外，供应商设备包为DO-214AC，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为4.3V。
