9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5221B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5221B-T参考价格为0.706美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5221B-T封装/规格：DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35。您可以下载1N5221B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5221B-t价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5221BDO35是DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）封装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于DO-35，以及±5%公差，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为2.4V，该设备提供30欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有100μa@1V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA。
1N5221BDO35E3是DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35，包括2.4V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值为1.5V的情况下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500MW，以及切割带（CT）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备具有30欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100μa@1V。
1N5221BRL，带有ON制造的电路图。1N5221BRLDO-41封装，是IC芯片的一部分。
