9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT55A8V2-GS08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT55A8V2-GS08参考价格为0.188134美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT55A8V2-GS08封装/规格：DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80。您可以下载BZT55A8V2-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZT55A6V8-GS18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为175°C，安装类型设计为表面安装，以及SOD-80供应商设备包，该装置也可用作±1%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供6.8V电压齐纳标称Vz，该器件具有8欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@3V，电压正向Vf最大If为1.5V@200mA。
BZT55A7V5-GS08带用户指南，包括7.5V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值下工作1.5V，公差显示在数据表注释中，以±1%使用，提供供应商设备包功能，如SOD-80，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500mW最大功率，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@5V。
BZT55A7V5-GS18，带电路图，包括100nA@5V电流反向泄漏Vr，它们设计为在7欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为175°C，包装箱设计为在DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80以及磁带和卷轴（TR）替代包装中工作，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以SOD-80供应商设备包提供，该设备具有±1%的容差，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压齐纳标称Vz为7.5V。
