9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5225B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5225B-T参考价格为0.2178美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5225B-T封装/规格：DIODE ZENER 3V 500MW DO35。您可以下载1N5225B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5225B_T50R，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备包装设计用于DO-35，以及±5%公差，该器件还可以用作500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为3V，该器件提供29欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有50μa@1V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
1N5225B_T50A，带有用户指南，包括3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带盒（TB）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备的阻抗最大值为29欧姆，电流反向泄漏Vr为50μa@1V。
1N5225BT是DIODE ZENER 3V 500MW DO35，包括50μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于29欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C ~ 200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3V。
