9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5226B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5226B-T参考价格为0.178美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5226B-T封装/规格：DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35。您可以下载1N5226B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5226B-B是齐纳二极管0.5W 3.3V 5%，包括散装包装，它们设计用于0.004833盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2毫米的高度特征，长度设计为4.2毫米，以及2毫米的宽度，该设备也可以用作DO-35包装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为3.3 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.07%/C，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为28欧姆，Ir反向电流为25uA。
1N5226B-G是DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35，包括3.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于1N5226B，以及500MW最大功率，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，该设备为通孔安装型，该设备的阻抗最大值为28欧姆，电流反向泄漏Vr为25μa@1V，配置为单一。
1N5226B-7，电路图由DIODES制造。1N5226B-7采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
