9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5227B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5227B-T参考价格为0.128222美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5227B-T封装/规格：DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35。您可以下载1N5227B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5227B-B是齐纳二极管0.5W 3.6V 5%，包括散装封装，设计用于137 mg单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供高度功能，如2 mm，长度设计为4.2 mm，以及2 mm宽度，该设备也可以用作单配置。此外，封装外壳为DO-35，该器件提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为3.6 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.065%/C，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为24欧姆，Ir反向电流为15uA。
带用户指南的1N5227B_T50R，包括3.6V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有24欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为15μa@1V。
1N5227BRL，带有MOT制造的电路图。1N5227BRL采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
