9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5239B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5239B-T参考价格为0.110144美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5239B-T封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35。您可以下载1N5239B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5239B-B是齐纳二极管0.5W 9.1V 5%，包括散装包装，它们设计用于0.004833盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2毫米的高度特征，长度设计为4.2毫米，以及2毫米的宽度，该设备也可以用作DO-35包装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.068%/C，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为3uA。
1N5239BDO35，带有用户指南，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压下以1.5V的正向Vf最大值运行。如果数据表注释中显示公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为10欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@7V。
1N5239BLT1，带有ON制造的电路图。1N5239BLT1采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
