9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5256B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5256B-T参考价格为0.174美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5256B-T封装/规格：DIODE ZENER 30V 500MW DO35。您可以下载1N5256B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5256B_T50R，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备包装设计用于DO-35，以及±5%公差，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为30V，该设备提供49欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有100nA@23V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
1N5256B_T50A，带有用户指南，包括30V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带盒（TB）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备的阻抗最大值为49欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@23V。
1N5256B_T26A，带电路图，包括100nA@23V电流反向泄漏Vr，设计用于49欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为30V。
