9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5257B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5257B-T参考价格为0.578美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5257B-T封装/规格：DIODE ZENER 33V 500MW DO35。您可以下载1N5257B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5257B-t价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5257B-B是齐纳二极管0.5W 33V 5%，包括散装包装，其设计为单位重量为0.004833盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2毫米的高度特征，长度设计为4.2毫米，以及2毫米的宽度，该设备也可以用作DO-35包装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供500 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.092%/C，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为58欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5257B_T50R带用户指南，包括33V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有58欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@25V。
1N5257B-G是DIODE ZENER 33V 500MW DO35，包括单一配置，它们设计为在100nA@25V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于58欧姆，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，该系列为1N5257B，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为33V。
