9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5267B-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5267B-T参考价格为0.176144美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5267B-T封装/规格：DIODE ZENER 75V 500MW DO35。您可以下载1N5267B-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5267B TR，带销细节，包括1N5267系列，其设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该设备提供75V电压齐纳标称Vz，该设备具有270欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@56V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
带用户指南的1N5267B BK，包括75V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，该系列设计为在1N526中工作，以及500mW功率最大值，该设备也可以用作散装备用包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为270欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@56V。
1N5267BDO35，带电路图，包括100nA@56V电流反向泄漏Vr，设计用于270 Ohm阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为75V。
