9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6632US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6632US参考价格为0.220934美元。Microchip Technology 1N6632US封装/规格：二极管ZENER 3.3V 5W D5B。您可以下载1N6632US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6631US是DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF，包括散装包装，它们设计用于SQ-MELF，A封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如A-MELF、速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作4μA@1100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.4V@1.4A，该器件提供1100V（1.1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有1.4A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为60ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N6631是DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL，包括1.4V@1.4A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1100V（1.1KV）电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如60ns，包装设计为批量工作，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件在1100V时具有4μa的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1.4A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
1N6632是二极管ZENER 3.3V 5W AXIAL，包括300μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于在500欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于E、轴向和散装包装，该设备也可作为5W最大功率使用。此外，供应商设备包为E，轴向，该设备提供±5%公差，该设备具有1.5V@1A的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3.3V。
