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BZX55C47-TR是DIODE ZENER 47V 500MW DO35，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，提供安装类型特征，如通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为47V，阻抗最大Zzt为110欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@36V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为47V，电压容差为6%，电压温度系数为0.08%/K，Zz齐纳阻抗为110欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX55C47-TAP是DIODE ZENER 47V 500MW DO35，包括110欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.7毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于47V，提供电压齐纳标称Vz特性，如47V，电压容差设计为6%，以及0.08%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-35供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔；最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为110 Ohm，高度为1.7 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@36V，并且配置为单一。
BZX55C47V带有ST制造的电路图。BZX55C47 V采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
