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BZX85C7V5-TAP是DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，提供安装类型功能，如通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长度，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大值Zzt为3欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@4.5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为7.45 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.0425%/C，齐纳电流为140 mA，Zz齐纳阻抗为3欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85C7V5-TR是DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41，包括3欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于140 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如7.45 V，电压齐纳标称Vz设计用于7.5V，以及6%电压容差，该器件也可以用作0.042%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大值Zzt为3 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@4.5V，配置为单一。
BZX85C7V5是DIODE ZENER 7.5V 1W DO41，包括单一配置，设计用于在1μa@4.5V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如3欧姆，Ir反向电流设计用于1μa，以及5.21 mm长度，它的最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备包为DO-41，公差为±6%，单位重量为0.008642 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为7.5V，Vz齐纳电压为7.5V、宽度为2.72mm，齐纳电流为35mA，Zz齐纳阻抗为3欧姆。
BZX85C7V5_T50R，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于磁带和卷轴（TR）包装，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-41，提供DO-204AL、DO-41、轴向、电压齐纳标称Vz等包装箱功能。设计工作电压为7.5V，工作温度范围为-65°C~200°C，该器件也可以用作3欧姆阻抗最大Zzt。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@4.5V，该器件提供1W功率最大值，该器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±6%。
