特色
- IPM 1 A,500 V,RDS(打开)=3.6Ω,三相MOSFET逆变器桥,包括用于栅极驱动的控制IC
- 针对低电磁干扰进行了优化
- 3.3 V、5 V、15 V CMOS/TTL输入比较器,带滞后和下拉/上拉电阻器
- 欠压锁定
- 内部自举二极管
- 联锁功能
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 54.63862 | 54.63862 |
10+ | 48.28040 | 482.80404 |
25+ | 44.39190 | 1109.79770 |
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