特征
a) 采用新的第四代平面IGBT芯片,通过1µm精细规则工艺提高了性能。例如,典型的VCE(sat)=1.7V
b) 使用新的二极管,该二极管设计用于获得软反向恢复特性。
c) 保持包装兼容性。
端子引脚和安装孔的布局/位置与S系列第三代IPM相同。
•3个φ200A,600V电流感应IGBT,用于15kHz开关
•单片栅极驱动和保护逻辑
•过电流、短路、过热和欠电压的检测、保护和状态指示电路(可从上支路装置获得P-Fo)
•无噪音22kW级逆变器应用
•UL认可的黄牌编号E80276(N)
应用程序
通用逆变器、伺服驱动器和其他电机控制