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FSB50660SF

  • 描述:种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 3.1 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块(0.573“,14.56毫米)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 56.39369 56.39369
270+ 21.82812 5893.59321
540+ 21.06093 11372.90436
1080+ 20.68259 22337.20044
  • 库存: 219
  • 单价: ¥56.39370
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥56.39
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 通孔
  • 种类 金属氧化物半导体场效应晶体管
  • 参数配置 三相
  • 电压 600 V
  • 隔离电压 1500Vrms
  • 部件状态 过时的
  • 电流属性 3.1 A
  • 包装/外壳 23 PowerDIP模块(0.573“,14.56毫米)

FSB50660SF 产品详情

FSB5060SF和FSB5060SFT是一款基于超级结MOSFET(SuperFET)技术的运动SPM5 SuperFET系列,作为小型逆变器解决方案,适用于冰箱、风扇和泵等小功率电机驱动应用。FSB5060SF和FSB5060SFT包含六个SuperFET MOSFET、三个半桥栅极驱动HVIC(带温度传感)和三个自举二极管,封装紧凑,完全隔离并优化了热性能。特别是,采用的SuperFET MOSFET具有体二极管的快速Trr特性。FSB5060SF和FSB5060SFT通过优化开关速度和降低寄生电感,具有低电磁干扰(EMI)特性。由于FSB5060SF和FSB5060SFT采用MOSFET作为电源开关,因此与基于IGBT的电源模块相比,它提供了更坚固和更大的安全工作区域(SOA)。FSB5060SF和FSB5060SFT是紧凑可靠逆变器设计的正确解决方案,在装配空间受限的情况下。

特色

  • UL认证编号E209204
  • 600 V RDS(开启)=700 mΩ(最大)SuperFET MOSFET三相逆变器,包括HVIC
  • 用于三支路电流传感的低侧MOSFET的三个独立的开放源极引脚
  • 用于栅极驱动和欠压保护的HVIC
  • 有源高接口,可与3.3V/5V逻辑一起工作
  • 针对低电磁干扰进行了优化
  • 隔离电压额定值为1500 Vrms,持续1分钟。
  • 内置温度传感HVIC
  • 封装中的嵌入式自举二极管
  • 符合RoHS
FSB50660SF所属分类:功率驱动器模块,FSB50660SF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FSB50660SF价格参考¥56.393697,你可以下载 FSB50660SF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FSB50660SF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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