特征
a) 采用新的第四代平面IGBT芯片
通过1µm精细规则处理提高了性能。
例如,典型的VCE(sat)=1.7V
b) 使用设计用于实现软反转的新二极管
恢复特性。
c) 保持包装兼容性。
端子销和安装孔的布局/位置
与S系列第三代IPM相同。
•3φ150A,600V电流感应IGBT,用于15kHz开关
•75A,600V电流感应再生制动IGBT
•单片栅极驱动和保护逻辑
•检测、保护和状态指示电路
电流、短路、过热和欠压
(大腿装置提供P-Fo)
•无噪音15/18.5kW级逆变器应用
•UL认可的黄牌编号E80276(N)
文件编号E80271
应用程序
通用逆变器、伺服驱动器和其他电机控制