特色
- UL认证编号E209204
- 600 V RDS（开启）=700 mΩ（最大）SuperFET MOSFET三相逆变器，包括HVIC
- 用于三支路电流传感的低侧MOSFET的三个独立的开放源极引脚
- 用于栅极驱动和欠压保护的HVIC
- 有源高接口，可与3.3V/5V逻辑一起工作
- 针对低电磁干扰进行了优化
- 隔离电压额定值为1500 Vrms，持续1分钟。
- 内置温度传感HVIC
- 封装中的嵌入式自举二极管
- 符合RoHS
FSB50660SFT
- 描述:种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 3.1 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥226.14188
-
数量:
- +
- 总计: ¥226.14
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 通孔
- 种类 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 参数配置 三相
- 电压 600 V
- 隔离电压 1500Vrms
- 包装/外壳 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米）
- 部件状态 过时的
- 电流属性 3.1 A
FSB50660SFT 产品详情
FSB5060SF和FSB5060SFT是一款基于超级结MOSFET（SuperFET）技术的运动SPM5 SuperFET系列，作为小型逆变器解决方案，适用于冰箱、风扇和泵等小功率电机驱动应用。FSB5060SF和FSB5060SFT包含六个SuperFET MOSFET、三个半桥栅极驱动HVIC（带温度传感）和三个自举二极管，封装紧凑，完全隔离并优化了热性能。特别是，采用的SuperFET MOSFET具有体二极管的快速Trr特性。FSB5060SF和FSB5060SFT通过优化开关速度和降低寄生电感，具有低电磁干扰（EMI）特性。由于FSB5060SF和FSB5060SFT采用MOSFET作为电源开关，因此与基于IGBT的电源模块相比，它提供了更坚固和更大的安全工作区域（SOA）。FSB5060SF和FSB5060SFT是紧凑可靠逆变器设计的正确解决方案，在装配空间受限的情况下。
FSB50660SFT 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FSB16U0154J-- | 晶瓷 (KYOCERA AVX) | FSB16U0154J-- | ¥37.37336 |
 | FSB50825US | 安盛美 (onsemi) | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD | ¥83.43821 |
| FSB137HLN | FSB137 - 700V INTEGRATED POWER S | ¥12.05219 | |
| FSBUD104A | ESPRESSObin | ¥0.00 | |
| FSBLD1212000A00 | BALDER 1212, BALDER SERIES ROPE- | ¥0.00 | |
| FSBLD1212Y00A00 | BALDER 1212Y, BALDER SERIES ROPE | ¥0.00 | |
| FSBLD1224000A00 | BALDER 1224, BALDER SERIES ROPE- | ¥0.00 | |
| FSBLD0612000A00 | BALDER 612, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 | |
| FSBLD0624000A00 | BALDER 624, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 | |
| FSBLD0912000A00 | BALDER 912, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 |
FSB50660SFT所属分类：功率驱动器模块，FSB50660SFT 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FSB50660SFT价格参考￥226.141880，你可以下载 FSB50660SFT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FSB50660SFT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
