FSB50760SF

描述:种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管电流属性: 3.6 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.573“，14.56毫米）
品牌:
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 43

数量	单价	合计
1+	23.79339	23.79339
270+	9.21678	2488.53222
540+	8.89099	4801.13622
1080+	8.73335	9432.01908

库存: 13
单价: ¥23.79339
数量:
- +
总计: ¥1,023.12

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
安装类别通孔
种类金属氧化物半导体场效应晶体管
参数配置三相
电流属性 3.6 A
电压 600 V
隔离电压 1500Vrms
制造厂商
包装/外壳 23 PowerDIP模块（0.573“，14.56毫米）

FSB50760SF 产品详情

FSB50760SF和FSC50760SFT是一款基于超级结MOSFET（SuperFET）技术的运动SPM5 SuperFET系列，作为小型逆变器解决方案，适用于冰箱、风扇和泵等小功率电机驱动应用。FSB50760SF和FSB50760 SFT包含六个SuperFET MOSFET、三个半桥栅极驱动HVIC（带温度传感）和三个自举二极管，封装紧凑，完全隔离并优化了热性能。同样，采用的SuperFET MOSFET具有体二极管的快速Trr特性。FSB50-760SF和FSB50760SFT通过优化开关速度和降低寄生电感，具有低电磁干扰（EMI）特性。由于FSB50760SF和FSB50760 SFT采用MOSFET作为功率开关，因此与基于IGBT的功率模块相比，它提供了更为坚固和更大的安全工作区域（SOA）。FSB50760SF和FSC50760SFT是紧凑可靠的逆变器设计的正确解决方案，在装配空间受限的情况下。

特色

UL认证编号E209204
600 V RDS（开启）=530 mΩ（最大）SuperFET MOSFET三相逆变器，包括HVIC
用于三支路电流传感的低侧MOSFET的三个独立的开放源极引脚
用于栅极驱动和欠压保护的HVIC
有源高接口，可与3.3V/5V逻辑一起工作
针对低电磁干扰进行了优化
隔离电压额定值为1500 Vrms，持续1分钟。
内置温度传感HVIC
封装中的嵌入式自举二极管
符合RoHS

FSB50760SF 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FSB16U0154J--	晶瓷 (KYOCERA AVX)	FSB16U0154J--	¥37.37336
FSB50825US	安盛美 (onsemi)	IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD	¥83.43821
FSB137HLN		FSB137 - 700V INTEGRATED POWER S	¥12.05219
FSBUD104A		ESPRESSObin	¥0.00
FSBLD1212000A00		BALDER 1212, BALDER SERIES ROPE-	¥0.00
FSBLD1212Y00A00		BALDER 1212Y, BALDER SERIES ROPE	¥0.00
FSBLD1224000A00		BALDER 1224, BALDER SERIES ROPE-	¥0.00
FSBLD0612000A00		BALDER 612, BALDER SERIES ROPE-O	¥0.00
FSBLD0624000A00		BALDER 624, BALDER SERIES ROPE-O	¥0.00
FSBLD0912000A00		BALDER 912, BALDER SERIES ROPE-O	¥0.00

FSB50760SF所属分类：功率驱动器模块，FSB50760SF 由设计生产，可通过久芯网进行购买。FSB50760SF价格参考￥23.793390，你可以下载 FSB50760SF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FSB50760SF规格参数、现货库存、封装信息等信息！