特色
- 500V RDS（开启）=1.4Ω（最大）FRFET®MOSFET三相逆变器，包括HVIC
- 来自低侧MOSFET的三个单独的发射极开路引脚，用于三支路电流检测
- 用于栅极驱动和欠压保护的HVIC
- 有源高接口，可与3.3V/5V逻辑一起工作
- 针对低电磁干扰进行了优化
- 隔离电压额定值为1500Vrms，持续1min。
- HVIC内置温度传感器
- 封装中的嵌入式自举二极管
- 符合RoHS
应用
- 运动控制-家用电器/工业电机
FSB50550AT
- 描述:种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 2A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥54.40741
-
数量:
- +
- 总计: ¥54.41
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 通孔
- 种类 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 参数配置 三相
- 隔离电压 1500Vrms
- 包装/外壳 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米）
- 电压 500 V
- 电流属性 2A
FSB50550AT 产品详情
FSB550550AT是一款基于快速恢复MOSFET（FRFET®）技术的先进Motion SPM®5系列，作为小型逆变器解决方案，适用于风扇和泵等小功率电机驱动应用。FSB50550AT包含六个FRFET MOSFET、三个带温度传感的半桥栅极驱动器HVIC和三个自举二极管，封装紧凑，完全隔离并优化了热性能。FSB550550AT通过优化开关速度和降低寄生电感，具有低电磁干扰（EMI）特性。由于FSB550550AT采用MOSFET作为功率开关，因此与基于IGBT的功率模块相比，FSB55050AT提供了更坚固的性能和更大的安全工作区域（SOA）。FSB550550AT是紧凑、可靠的逆变器设计的正确解决方案，因为装配空间有限。
FSB50550AT 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FSB16U0154J-- | 晶瓷 (KYOCERA AVX) | FSB16U0154J-- | ¥37.37336 |
 | FSB50825US | 安盛美 (onsemi) | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD | ¥83.43821 |
| FSB137HLN | FSB137 - 700V INTEGRATED POWER S | ¥12.05219 | |
| FSBUD104A | ESPRESSObin | ¥0.00 | |
| FSBLD1212000A00 | BALDER 1212, BALDER SERIES ROPE- | ¥0.00 | |
| FSBLD1212Y00A00 | BALDER 1212Y, BALDER SERIES ROPE | ¥0.00 | |
| FSBLD1224000A00 | BALDER 1224, BALDER SERIES ROPE- | ¥0.00 | |
| FSBLD0612000A00 | BALDER 612, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 | |
| FSBLD0624000A00 | BALDER 624, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 | |
| FSBLD0912000A00 | BALDER 912, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 |
FSB50550AT所属分类：功率驱动器模块，FSB50550AT 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FSB50550AT价格参考￥54.407412，你可以下载 FSB50550AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FSB50550AT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
