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BZX85C4V7-TR是DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41,包括Automotive AEC-Q101系列,它们设计用于胶带和卷轴(TR)交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.010935盎司,提供安装类型功能,如通孔,高度设计为2.6 mm,长度4.1 mm,该装置也可以用作2.6mm宽。此外,封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度范围为-55°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备封装为DO-41,配置为单一,公差为±5%,功率最大值为1.3W,电压齐纳标称Vz为4.7V,阻抗最大值Zzt为13欧姆,电流反向泄漏Vr为3μa@1V,Pd功耗为1.3W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为4.7V,电压容差为6%,电压温度系数为0.005%/C,齐纳电流为215 mA,Zz齐纳阻抗为13欧姆,Ir反向电流为3 uA。
BZX85C4V7-TAP是DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41,包括13欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于215 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2.6 mm,提供4.7V等Vz齐纳电压特性,电压齐纳标称Vz设计用于4.7V,以及6%电压容差,该器件也可以用作0.005%/C电压温度系数。此外,单位重量为0.010935盎司,该设备的公差为±5%,该设备具有DO-41供应商设备包装,系列为AEC-Q101,最大功率为1.3W,Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒(TB)交替包装,包装箱为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度范围为-55°C~175°C,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+175℃,长度为4.1 mm,Ir反向电流为3 uA,阻抗最大值Zzt为13 Ohm,高度为2.6 mm,电流反向泄漏Vr为3μA@1V,配置为单一。
BZX85C4V7-T是齐纳二极管1.3W,包括单配置,设计用于2.72 mm高,Ir反向电流显示在数据表注释中,用于3 uA,提供5.51 mm等长度特性,安装方式设计用于通孔,以及DO-41封装盒,该设备也可用于卷筒封装。此外,Pd功耗为1.3W,器件的单位重量为0.010935盎司,器件的电压容差为6.3%,Vz齐纳电压为4.7V,宽度为2.72mm,Zz齐纳阻抗为3欧姆。