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BZX55C12-TAP是DIODE ZENER 12V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，设计用于0.004833盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有1.7 mm的高度特征，长度设计为3.9 mm，以及1.7 mm的宽度，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为175°C，该设备为通孔安装型，该设备具有供应商设备封装的DO-35，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@9.1V，电压正向Vf最大If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为12.05 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.07%/K，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZX55C12-TR是DIODE ZENER 12V 500MW DO35，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.7 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于12.05 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如12V，电压容差设计工作在5%，以及0.07%/K电压温度系数，该装置也可作为1.5V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004833 oz，该装置的公差为±5%，该装置具有DO-35供应商装置包装，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为切割胶带（CT）替代包装，包装箱为DO-204AH、DO-35轴向、，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为20 Ohm，高度为1.7 mm，反向电流Vr为100nA@9.1V，配置为单一。
BZX55C12V，带有ST制造的电路图。BZX55C12V采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
