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MMBZ5264B-HE3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为225mW，电压齐纳标称Vz为60V，阻抗最大值Zzt为170欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@46V，Pd功耗为225 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为60 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.097%/C，Zz齐纳阻抗为170欧姆，Ir反向电流为100 nA。
MMBZ5264B-HE3-18，带有用户指南，包括170欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于60 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于60V的电压齐纳标称Vz，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.097%/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为225mW，Pd功耗为225mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为170 Ohm，反向电流Vr为100nA@46V，配置为单一。
MMBZ5264BLT1是DIODE ZENER 60V 225MW SOT23-3，包括100nA@46V电流反向泄漏Vr，设计用于在170欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为225mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为60V。
