特色
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•采用0.6µm设计规则或CSTBT的第五代平面IGBT芯片™ 具有优异损耗性能的技术
•超紧凑型双列或单列传输模具封装(与第二代兼容)
•包括驱动器和保护电路(UV、SC)
•DIP-IPM,热阻降低20%
•2500Vrms隔离电压
•用于直接连接到3V或5V MCU的高有源接口逻辑
•最高可靠性和最佳EMI性能
•电机额定功率为0.1kW至3.7kW,可提供3A至50A/600V
•可选,具有用于矢量控制的开放发射极拓扑
•所有三菱DIP和Mini DIP IPM均具有无铅端子
•从2006年1月起,所有DIP和Mini DIP IPM将采用完全无铅技术