特色
- UL认证编号E209204（UL1557）
- 500 V RDS（开启）=0.45Ω（最大）FRFET MOSFET三相逆变器，带栅极驱动器和保护
- 内置自举二极管简化PCB布局
- 用于三相电流感测的低侧MOSFET的独立开源引脚
- 有源HIGH接口，与3.3/5 V逻辑、施密特触发器输入一起工作
- 针对低电磁干扰进行了优化
- 内置用于温度监测的HVIC温度传感
- 用于栅极驱动和欠压保护的HVIC
- 隔离等级：1500 Vrms/1分钟。
- 符合RoHS
应用
- 运动控制-家用电器/工业电机
FSB50825AB
- 描述:种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 3.6 A 电压: 250伏 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.644“，16.35毫米）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 180
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 180+ | 45.34214 | 8161.58646 |
- 库存: 0
- 单价: ¥45.34215
-
数量:
- +
- 总计: ¥8,161.59
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 通孔
- 种类 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 参数配置 三相
- 电流属性 3.6 A
- 隔离电压 1500Vrms
- 电压 250伏
- 包装/外壳 23 PowerDIP模块（0.644“，16.35毫米）
FSB50825AB 产品详情
FSB50825A/AT是一款先进的Motion SPM®5模块，为交流感应、无刷直流电机和永磁同步电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置MOSFET（FRFET®技术）的优化栅极驱动，以最大限度地减少EMI和损耗，同时还提供多种模块上保护功能，包括欠压锁定和热监测。内置高速HVIC只需要一个电源电压，并将输入的逻辑电平门输入转换为正确驱动模块内部MOSFET所需的高电压、高电流驱动信号。每个阶段都有单独的开源MOSFET端子，以支持最广泛的控制算法。
FSB50825AB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FSB16U0154J-- | 晶瓷 (KYOCERA AVX) | FSB16U0154J-- | ¥37.37336 |
 | FSB50825US | 安盛美 (onsemi) | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD | ¥83.43821 |
| FSB137HLN | FSB137 - 700V INTEGRATED POWER S | ¥12.05219 | |
| FSBUD104A | ESPRESSObin | ¥0.00 | |
| FSBLD1212000A00 | BALDER 1212, BALDER SERIES ROPE- | ¥0.00 | |
| FSBLD1212Y00A00 | BALDER 1212Y, BALDER SERIES ROPE | ¥0.00 | |
| FSBLD1224000A00 | BALDER 1224, BALDER SERIES ROPE- | ¥0.00 | |
| FSBLD0612000A00 | BALDER 612, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 | |
| FSBLD0624000A00 | BALDER 624, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 | |
| FSBLD0912000A00 | BALDER 912, BALDER SERIES ROPE-O | ¥0.00 |
FSB50825AB所属分类：功率驱动器模块，FSB50825AB 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FSB50825AB价格参考￥45.342147，你可以下载 FSB50825AB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FSB50825AB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
