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BZX85C18-TR是DIODE ZENER 18V 1.3W DO41,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计用于带卷(TR)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.010935盎司,具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长的安装样式特征,该装置也可以用作2.6mm宽。此外,封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度范围为-55°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备封装为DO-41,配置为单一,公差为±5%,功率最大值为1.3W,电压齐纳标称Vz为18V,阻抗最大值Zzt为20欧姆,电流反向泄漏Vr为500nA@13V,Pd功耗为1.3W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为17.95 V,电压容差为6%,电压温度系数为0.075%/C,齐纳电流为62 mA,Zz齐纳阻抗为20欧姆,Ir反向电流为500 nA。
BZX85C20是DIODE ZENER 20V 1W DO41,包括24欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于10 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2.72 mm,提供Vz齐纳电压特性,如20 V,电压齐纳标称Vz设计用于20V,以及5%电压容差,该装置也可作为1.2V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外,单位重量为0.008642盎司,该装置的公差为±6%,该装置具有供应商装置封装的DO-41,最大功率为1W,Pd功耗为1 W,包装为散装,包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度范围为-65°C~200°C,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+200℃,长度为5.21 mm,Ir反向电流为500 nA,阻抗最大值Zzt为24 Ohm,高度为2.72 mm,电流反向泄漏Vr为500nA@14V,配置为单一。
BZX85C20_T50R,带电路图,包括500nA@14V电流反向泄漏Vr,设计用于24欧姆阻抗最大Zzt,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,工作温度范围为-65°C~200°C,包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为1W最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-41,该设备的容差为±6%,该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为20V。
BZX85C20_T50A,带EDA/CAD型号,包括通孔安装型,设计用于磁带盒(TB)封装,供应商设备封装如数据表注释所示,用于DO-41,提供DO-204AL、DO-41、轴向等封装外壳特征,其工作温度范围为-65°C ~ 200°C,以及500nA@14V电流反向泄漏Vr,该器件也可以用作24欧姆阻抗最大Zzt。此外,电压齐纳标称Vz为20V,该器件提供1W最大功率,该器件具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If,容差为±6%。