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BZX85C5V6-TR是DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为5.6V，阻抗最大值Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@2V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为5.6 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.022%/C，齐纳电流为190 mA，Zz齐纳阻抗为7欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85C5V6-TAP是DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于190 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如5.6 V，电压齐纳标称Vz设计用于5.6V，以及5%电压容差，该装置也可用作0.022%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大值Zzt为7 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@2V，配置为单一。
BZX85C5V6-T是齐纳二极管1.3W，包括单配置，设计用于2.72 mm高，Ir反向电流显示在数据表注释中，用于1 uA，提供5.51 mm等长度特性，安装方式设计用于通孔，以及DO-41封装盒，该设备也可用于卷筒封装。此外，Pd功耗为1.3W，器件的单位重量为0.010935盎司，器件的电压容差为7.1%，Vz齐纳电压为5.6V，宽度为2.72mm，Zz齐纳阻抗为1欧姆。
