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BZX85C39-TAP是DIODE ZENER 39V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为39V，阻抗最大值Zzt为50欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@30V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为39 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为28 mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85C39-TR是DIODE ZENER 39V 1.3W DO41，包括50欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于28 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如39 V，电压齐纳标称Vz设计用于39 V，以及5%电压容差，该装置也可用作0.078%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为50 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@30V，配置为单一。
BZX85C39_T50R，带电路图，包括500nA@27V电流反向泄漏Vr，设计用于45欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为39V。
BZX85C39-T是1.3W的齐纳二极管，包括通孔安装型，它们设计用于单配置，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供DO-41等封装盒功能，Ir反向电流设计用于500 nA，以及500 mOhms Zz齐纳阻抗，该器件也可用于5.51 mm长度。此外，电压容差为5.1%，该器件提供39 V Vz齐纳电压，该器件的高度为2.72 mm，宽度为2.72毫米，Pd功耗为1.3 W，单位重量为0.010935盎司。
